PI 聚酰亚胺膜在制备石墨化炉中的石墨化过程演变
PI 聚酰亚胺膜在制备实验中采用不同商家生产的不同程度某高聚物(PI 聚酰亚胺)薄膜 进行压制碳化、高温石墨化炉石墨化处理后得到不同的PIZ墨膜。实验中采用偏光显微镜、 X•射线衍射、扫描电镜等测试手段分析了不同PI石墨膜在高温石墨化炉热处理过程中的 结构演变。研究结果表明,杜邦PI膜(5()卩m)经3000℃高温石墨化炉石墨化后能形成三 维有序堆积的石墨层状结构,其层片堆积高度达到65.94nm,石墨片层间距为 0.336nm,石墨化炉石墨化度可高达93%,室温面向电阻率为0.48pm,实测面向热导率 能够达到1000(W/(m.K)。
其次随着热姓理温度的提高,PI膜微晶的结构从无定 型向有序型转变,石用层片取向和结晶度程度有所提高,石墨晶体逐渐完善。 此外,石墨晶体生长随PI膜厚度的増大变的越发困难,层片择优取向程度也随 之降低。
国产的PI膜经过3000℃石墨化炉高温石墨化处理后形成无定型结构碳,其石 墨微晶尺寸较小。